สำนักข่าว KereaTimes รายงานการจับกุมหญิงชาวจีนที่เคยทำงานให้กับ SK hynix ในข้อหาขโมยเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์จากผู้ผลิตชิปของเกาหลีไปยังบริษัทจีน
ตำรวจได้นำส่งตัวหญิงวัย 30 ปีสัญชาติจีนรายหนึ่งไปยังอัยการเมื่อเดือนที่แล้ว ฐานต้องสงสัยว่าจะมีความผิดในข้อหาฝ่าฝืนพระราชบัญญัติการป้องกันการเปิดเผยข้อมูลและการคุ้มครองเทคโนโลยีอุตสาหกรรม
ตามรายงานของตำรวจในจังหวัดคยองกีนัมบู ประเทศเกาหลี เมื่อวันอังคารที่ผ่านมา หญิงสาวรายนี้เป็นอดีตพนักงาน SK hynix ที่ได้รับการว่าจ้างจากบริษัทมาตั้งแต่ปี 2013 และได้เข้ารับหน้าที่ในแผนกที่เกี่ยวข้องกับการวิเคราะห์ข้อบกพร่องของการออกแบบเซมิคอนดักเตอร์ในปี 2020 จนถึง 2022 โดยเธอมีบทบาทในการให้คำปรึกษาและพูดคุยกับกลุ่มลูกค้า B2B (ธุรกิจกับธุรกิจ) ในประเทศจีน
แต่ไม่นานก่อนออกจากบริษัท เธอถูกกล่าวหาว่าได้แอบพิมพ์เอกสารที่เกี่ยวข้องกับ front-end ของเทคโนโลยีการผลิตเซมิคอนดักเตอร์รุ่นล่าสุดออกไปมากกว่า 3,000 แผ่น โดยเธอมีการเดินทางไปกลับระหว่างประเทศเกาหลีในเดือนมิถุนายน 2022 และย้ายไปที่บริษัทไอทีของจีนอย่าง Huawei ในช่วงเดือนเดียวกัน
ทางตำรวจที่สอบสวนคดีได้เข้าจับกุมเธอทันทีที่สนามบิน เมื่อเธอเดินทางกลับเข้าประเทศเมื่อเดือนที่ผ่าน โดยเธอได้ปฏิเสธข้อกล่าวหา และในขณะนี้คดีกำลังอยู่ในขั้นตอนการสอบสวนของเจ้าหน้าที่ โดยมีบริษัท SK hynix เป็นผู้ให้ความร่วมมือในการสืบคดีนี้ไปพร้อมกันด้วย
บริษัทชิปอื่นๆ ของเกาหลีกำลังรับมือกับปัญหาการรั่วไหลของเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่อง ซึ่งอาจก่อให้เกิดความเสียหายทางเศรษฐกิจสูงถึงล้านล้านวอน แม้ว่าพวกเขาจะพยายามป้องกันด้วยการเสริมความปลอดภัยด้วยการตรวจสอบพนักงานอย่างเข้มงวดแล้วก็ตาม
ในเดือนเมษายน บริษัท Samsung ก็เผชิญกับกรณีที่คล้ายกัน เมื่ออดีตหัวหน้าแผนกของบริษัทถูกกล่าวหาว่าได้ขโมยเทคโนโลยีชิปไปก่อตั้งบริษัทในประเทศของเขาเอง
โดยสำนักงานตำรวจแห่งชาติของเกาหลีได้ระบุจำนวนคดีที่เกี่ยวข้องตั้งแต่เดือนกุมภาพันธ์ถึงตุลาคมปีที่แล้ว มีอยู่รวมกันมากถึง 21 คดี นับเป็นตัวเลขที่เพิ่มขึ้นร้อยละ 75 จากปีที่แล้ว และเป็นตัวเลขสูงสุดนับตั้งแต่ปี 2013 โดยถ้าแยกตามประเภทของเทคโนโลยีที่รั่วไหลจะเป็นคดีทางด้านอุตสาหกรรมการผลิตจอแสดงผลจำนวน 8 เคส และรองลงมาเป็นคดีที่เกี่ยวกับการผลิตชิปที่มีอยู่ 3 เคส
เจ้าหน้าที่ด้านอุตสาหกรรมกล่าวให้คำแนะนำว่า ควรเพิ่มความเข้มข้นในการเฝ้าระวังและบทลงโทษของการรั่วไหลเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ให้รุนแรงมากขึ้นกว่านี้
