Samsung Electronics ผู้ผลิตหน่วยความจำชั้นนำของโลก สร้างความฮือฮาในงานประชุมวิชาการด้านชิปประมวลผลระดับโลก Hot Chips 2026 ด้วยการเปิดเผยโรดแมปสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) แบบ 3 ระยะ โดยมีไฮไลต์สำคัญคือเทคโนโลยี “zHBM” ซึ่งเป็นการนำแผงชิปแรม DRAM วางซ้อนทับลงบนชิปประมวลผลปัญญาประดิษฐ์ (AI Processor) โดยตรงผ่านเทคนิคการเชื่อมต่อระดับโมเลกุลแบบไฮบริดคอปเปอร์ (Hybrid Copper Bonding)
นวัตกรรมดังกล่าวได้รับการออกแบบมาเพื่อทลายกำแพงคอขวดด้านหน่วยความจำ (Memory Wall) อย่างเด็ดขาด โดยตัดความจำเป็นในการใช้แผ่นซิลิคอนอินเตอร์โพเซอร์ (Interposer) ออกไป ช่วยลดระยะทางในการส่งสัญญาณไฟฟ้าและสามารถส่งมอบแบนด์วิธการถ่ายโอนข้อมูลความเร็วสูงได้ถึง 100 เทระไบต์ต่อวินาที (100 TB/s) ต่อการ์ดประมวลผลหนึ่งใบ
เปลี่ยนผ่านจากแรมธรรมดาสู่การฝังหน่วยประมวลผลลงในชิปความจำ
ในระยะแรกของโรดแมป Samsung ได้เริ่มผสานหน่วยประมวลผลตรรกะ (Logic Unit) เข้าไปในชิปแรม LPDDR5X เพื่อให้หน่วยความจำสามารถคำนวณงานเบื้องต้นได้เอง ก่อนจะขยับสู่ชิป HBM5 ที่ติดตั้งบล็อกระบายความร้อนพิเศษ Heat Path Block
สำหรับขั้นสูงสุดคือเทคโนโลยี zHBM ซึ่งเป็นการประกบชิป DRAM ซ้อนบนตัวชิป GPU หรือ CPU โดยตรงแบบ 3 มิติ ช่วยลดความร้อนสะสม ลดการใช้พลังงาน และเพิ่มความเร็วในการดึงข้อมูลน้ำหนักพารามิเตอร์ของโมเดล AI ขนาดใหญ่ได้อย่างมหาศาล
ก้าวสำคัญในการแข่งขันกับ SK Hynix และ Micron
การเปิดตัว zHBM ถือเป็นการเดินเกมรุกครั้งสำคัญของ Samsung ในสมรภูมิชิปความจำ AI เพื่อแย่งชิงความได้เปรียบทางเทคโนโลยีจากคู่แข่งอย่าง SK Hynix และ Micron ซึ่งกำลังเผชิญข้อจำกัดเรื่องความหนาของแพ็กเกจจิ้งชิปแบบเดิม
สถาปัตยกรรมการวางแรมซ้อนบนโปรเซสเซอร์จะช่วยเร่งประสิทธิภาพของซูเปอร์คอมพิวเตอร์และเซิร์ฟเวอร์ AI ยุคหน้าให้ประมวลผลได้เร็วขึ้นหลายเท่าตัว ทั้งนี้ ต้องติดตามความพร้อมของสายการผลิตเชิงพาณิชย์ในช่วงปี 2027–2028 ต่อไป
อ้างอิงข้อมูล: Tom’s Hardware
