Samsung เผยดีไซน์แพ็กเกจใหม่ Exynos 2600 เพิ่มบล็อกระบายความร้อน HPB ลดอุณหภูมิชิปสูงสุดกว่า 30%
Samsung เปิดเผยโครงสร้างภายในของแพ็กเกจชิป Exynos 2600 ที่จะเปิดตัวในปีหน้า โดยเพิ่มเทคโนโลยีใหม่ชื่อ Heat Path Block (HPB) ซึ่งเป็นแผ่นทองแดงนำความร้อนที่ถูกฝังอยู่ภายในแพ็กเกจของชิปโดยตรง ช่วยระบายความร้อนได้รวดเร็วกว่ารุ่นก่อนหน้าอย่าง Exynos 2500 ถึง 30% ตามรายงานของ ET News จากเกาหลีใต้
โครงสร้างใหม่นี้ยังคงใช้เทคโนโลยี Fan-Out Wafer-Level Package (FO-WLP) เหมือนเดิม แต่มีการปรับตำแหน่งส่วนประกอบภายในใหม่ โดยเลื่อนโมดูล DRAM ไปทางด้านหนึ่งเพื่อเปิดพื้นที่สำหรับวาง HPB ซึ่งทำหน้าที่นำความร้อนจากตัว Application Processor ออกสู่ด้านบนของชิปโดยตรง ส่งผลให้ลดการเกิดความร้อนสะสมและลดโอกาสเกิดการ Throttling ได้อย่างมีนัยสำคัญ
นอกจากจะช่วยควบคุมอุณหภูมิของ Exynos 2600 ซึ่งคาดว่าจะเป็นชิปรุ่นแรกของ Samsung ที่ผลิตบนเทคโนโลยี 2nm พร้อม GPU ที่พัฒนาร่วมกับ NVIDIA แล้ว แหล่งข่าวยังระบุว่า Samsung มีความมั่นใจในเทคโนโลยี HPB มากพอที่จะเสนอให้ลูกค้ารายอื่นนำไปใช้ รวมถึง Qualcomm และ Apple ซึ่งปัจจุบันพึ่งพา TSMC ในการผลิตชิปประสิทธิภาพสูงเป็นหลัก
มีรายงานว่า Qualcomm อาจพิจารณาใช้เทคโนโลยี 2nm ของ Samsung สำหรับการพัฒนาเวอร์ชันพิเศษของ Snapdragon 8 Elite Gen 5 ในช่วงปลายปี 2026 โดยจะพิจารณาความเสถียรของ Exynos 2600 เป็นหลัก ก่อนตัดสินใจเปิดทางให้ Samsung กลับเข้ามาในฐานะผู้ผลิตชิประดับพรีเมียมอีกครั้ง
ความสำเร็จของแพ็กเกจ HPB อาจสร้างแรงกระเพื่อมในตลาดเซมิคอนดักเตอร์ โดยเปิดทางให้ Samsung กลับมาแข่งขันกับ TSMC ในระดับโครงสร้างชิป ซึ่งนับเป็นจุดที่คู่แข่งรายอื่นยังไม่มีโซลูชันที่เทียบเท่าในเวลานี้
ที่มา androidauthority
