ลือ Qualcomm Snapdragon 830 จะใช้เทคโนโลยี 10nm FinFET ของ Samsung รองรับ RAM สูงสุด 8GB

Avatar

มาถึงตอนนี้เจ้ามังกรไฟตัวใหม่อย่าง Snapdragon 820 จาก Qualcomm คงได้เริ่มโผล่หน้าโผล่ตามาให้เห็นในสมาร์ทโฟนบางรุ่นเป็นที่เรียบร้อยแล้ว แต่ก่อนที่เราจะได้สัมผัสความแรงของมันกันในปีนี้ ล่าสุดตอนนี้ก็มีข่าวลือเกี่ยวกับชิพเซทรุ่นต่อไปที่ทาง Qualcomm จะผลิตออกมานั่นก็คือ Snapdragon 830 ออกมาอีกแล้วครับ

 

โดยในข่าวลือล่าสุดนี้ได้ระบุออกมาว่า Qualcomm ได้เตรียมผลิตชิพเซทรุ่นต่อไปอย่าง Snapdragon 830 แล้ว ซึ่งเชื่อกันว่าจะปล่อยออกมาช่วงต้นปี 2017 โดยมันจะมีชื่อโค้ดเนมว่า MSM8998 และรองรับ RAM สูงสุดได้ถึง 8GB และยังมีจุดเด่นคือการเพิ่มดความสามารถให้กับ CPU ตัวปัจจุบันอย่าง Kryo ที่ใช้ใน Snapdragon 820 ให้แรงกว่าเก่าอีกด้วย นอกจากนี้ในรายงานยังกล่าวอีกว่า Qualcomm น่าจะเลือกใช้เทคโนโลยี 10nm FinFET ของทาง Samsung ในการผลิตเจ้าชิพเซทตัวนี้

อย่างไรก็ตามเรายังไม่สามารถระบุที่มาของข่าวลือนี้ได้อย่างแน่ชัดครับ แต่ก็เชื่อว่าทาง Qualcomm น่าจะกำลังพัฒนา Snapdragon 830 อยู่จริง และข้อมูลที่มีข่าวลือออกมานี้ก็มีความเป็นไปได้ค่อนข้างมากครับ แต่การใช้เทคโนโลยี 10nm FinFET จาก Samsung อาจจะยังไม่ได้เกิดขึ้นในอนาคตอันใกล้นี้ เพราะจากข้อมูลล่าสุดเทคโนโลยีตัวนี้ยังอยู่ในช่วงกำลังพัฒนาและวิจัยอยู่นั่นเองครับ

 

คัดมาเพื่อคุณ

 

 

View Comments (0)

Leave a Reply