เรียกว่าต่อไปความจุของสมาร์ทโฟนจะเพิ่มไปอีก เพื่อรองรับความต้องการที่หลากหลาย เพราะล่าสุดทางค่าย ซัมซุงได้เปิดตัวหน่วยความจำแบบ UFS 2.1 ที่มีความจุ 1TBซึ่งเป็นการประกาศไม่กี่สัปดาห์ก่อนการเปิดตัว Samsung Galaxy S10 ที่ก่อนหน้านี้มีข่าวระบุว่ามันจะมีแรมที่มากขนาด 12GB และพื้นที่เก็บข้อมูลสูงสุดที่ 1TB
โดยชิป 1TB eUFS 2.1 เป็นการออกแบบชิปตัวเดียวและมีการปรับปรุงความเร็วในการอ่านและเขียน เมื่อเทียบกับ 512GB eUFS 2.1 ขนาดของชิปจะเท่ากันโดยวัดได้ 11.5 x 13 มม. และมีเลเยอร์หน่วยความจำแฟลช V-NAND VG-512 512Gb 16 รุ่นที่ 5 โดยพื้นที่จัดเก็บ 1TB มีความเร็วในการอ่านต่อเนื่อง 1,000 MB / s , ความเร็วในการเขียนต่อเนื่อง 260 MB / s, ความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม 58,000 IOPS และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม 50,000 IOPS โดยจะสังเกตได้ว่ามีการเพิ่มความเร็วขึ้นอย่างมากเมื่อเทียบชิปรุ่นก่อนหน้านี้ของค่าย Samsung คาดกันว่าจะมีการนำไปใช้ใน Galaxy S10 และสมาร์ทโฟนรุ่นอื่นๆในอนาคต
