ซัมซุงเริ่มผลิตหน่วยความจำแฟลช V-NAND เจนที่ 5 แล้ว

เป็นการเข้ายุคใหม่สำหรับหน่วยความจำ เพราะค่ายยักษ์ใหญ่อย่างซัมซุงนอกจากจะผลิตมือถือแล้ว ซัมซุงเป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำชั้นนำมานานหลายปี และในวันนี้ บริษัทได้ประกาศว่าจะเริ่มผลิตชิพหน่วยความจำ V-NAND สำหรับยุคหน้าแล้วโดยนับเป็นเจนที่ 5 แล้ว

โดยคุณลักษณะสำคัญคือการใช้อินเทอร์เฟซ NAND “Toggle DDR 4.0″ทำให้สามารถถ่ายโอนข้อมูลระหว่างหน่วยเก็บข้อมูลและแรมได้เร็วขึ้นถึง 40% และเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนเร็วกว่าถึง 1.4Gbps แต่กินไฟน้อยลง เพราะมีประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่ดีขึ้น เพราะกินไฟเหลือเพียง 1.2 โวลต์ จากเดิม 1.8 โวลต์

ชิป V-NAND เจนที่ 5 สร้างขึ้นในรูปแบบ 64 เลเยอร์มาพร้อมกับแฟลชแบบชาร์จไฟแบบ 3D (CTF) จำนวน 90 ชั้น และยังปรับปรุงความเร็วในการเขียนให้ดีขึ้นมากถึง 30% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน โดยจะมีการผลิตความจุมากถึง 256GB ที่คาดว่าทางซัมซุง จะนำมาใช้กับสมาร์ทโฟนระดับ high-end ในอนาคต และอาจจะมีผู้นำไปใช้ในอุปกรณ์หลากหลายเช่น เครื่องเกมพกพาหรือ แท็บเล็ต แบบไฮบริด

เกาะประเด็น:  ซัมซุงปล่อยภาพตัวอย่าง Galaxy F สมาร์ทโฟนแบบพับหน้าจอได้ของ Samsung



[wpdevart_facebook_comment title_text="แสดงความคิดเห็น" order_type="social" title_text_color="#ea6c35" title_text_font_size="18" title_text_font_famely="Taviraj" title_text_position="left" width="100%" bg_color="#FFFFFF" count_of_comments="10" ]